MOS管基本技能：
MOS管是一种借助磁场负面效应来掌控其电阻大小的积体电路埃库谢电子元件，很多优点和应用领域方向都与真空管类似于。此种电子元件不仅重量轻、质量轻、耗电量省、重量轻、而且还具有阻抗高、噪音低、耐热性好、抗辐射能力强等缺点，应用领域广泛，的的小规模的器件中。
根据极性基极的不同，MOS管可分成N基极和P基极三类，每两类又分成XT736PA和用尽型两种。现在以N基极电子元件为科沙群介绍一下MOS管的组织工作基本原理。
MOS管的内部结构：
如下表所示图右图，N基极XT736PAMOS管的内部结构左图。它以低参杂的P型硅材料作固相，在下面制造三个高参杂的N型区，分别带出三个阴极，做为PMOSs和汲极d，在P型固相的表层全面覆盖几层很厚的水解膜(二水解硅)护套层，并带出阴极做为阴极g。此种寄生电容的阴极g和P型积体电路固相、汲极d及PMOSs间都是护套的，因此也称作护套栅寄生电容。
组织工作基本原理:
MOS管的基本组织工作基本原理是借助栅源电阻去掌控汲极电阻，但汲极和PMOS之间不存在原初极性基极，因此组织工作时还需要先创建。
1.创建极性基极：
总的来看，当另加萨德基的栅源电阻VGS>0时，在阴极上方的水解层上出现上正下负的磁场，该磁场将吸引P区中的电浆，使其在水解层上方涌进，同时会排外P区中的电洞，使之离开该地区。VGS越大磁场强度越大，此种效用越明显。当VGS达到VT时，该地区涌进的电浆含量足够多大，而形成一个捷伊N型地区，像一处公路桥把汲极和PMOS相连接。该地区就称作N型极性基极，全称N基极，而Vt就称作迈入电阻，VGS>VT 是创建该极性基极的首要条件。
2.创建汲极电阻：
当基极创建之后，如果汲极间存在一定的驱动电阻VDS。当汲极电阻VDS出现之后，汲极电位高于PMOS，故VGS>VGD，因此造成水解层上的磁场分布不均匀，靠近PMOS强度大，靠近汲极强度弱，相应的极性基极也就随之变化：靠近PMOS处宽，靠近汲极处窄。
因此，MOS管的汲极电阻Id主要受电阻VGS和VDS的影响，前者通过掌控极性基极来影响Id，后者直接做为驱动来影响Id。但需要再次强调，如果极性基极没有创建的话，只有VDS，汲极电阻是不会出现的。
总结来说，根据MOS管的一个组织工作基本原理和优点，不难发现，它与真空管优点极其相似，都可以做为放大电子元件使用，如构成反向放大器、电阻跟随器和电阻跟随器等，两种电子元件构成的放大电路各有缺点，MOS管放大电路阻抗高、噪音低、真空管放大电路放大能力强，实际应用领域中常常都是把两者结合使用。
